سامسونگ سال آینده پردازنده ۲ نانومتری می‌سازد

طبق گزارش Business Korea، سامسونگ بر توسعه‌ی نسل بعدی ترانزیستور Gate-All-Around (GAA) تمرکز دارد که در فرایند تولید تراشه‌های ۲ نانومتری استفاده خواهد شد. تولید انبوه تراشه‌های ۲ نانومتری مبتنی‌بر این فناوری برای سال آینده برنامه‌ریزی شده است.
GAA نوع جدیدی از طراحی ترانزیستور است که باعث بهبود جریان و بازدهی انرژی می‌شود. این فناوری با نسل اول فرایند ۳ نانومتری Samsung Foundry معرفی شد و تاکنون هیچ شرکت دیگری از جمله AMD، اپل، مدیاتک، انویدیا و کوالکام از آن استفاده نکرده‌اند. انتظار می‌رود System LSI اولین شرکتی باشد که از فرایند ۳ نانومتری Samsung Foundry استفاده می‌کند.
تراشه‌های مبتنی‌بر فناوری ۳ نانومتری GAA نسل اول درمقایسه‌با تراشه‌های ساخته‌شده با فرایند ۵ نانومتری Samsung Foundry، تا ۱۶ درصد کاهش ابعاد، ۲۳ درصد بهبود عملکرد و ۴۵ درصد بازدهی انرژی بهتری دارند.
نسل دوم فناوری ۳ نانومتری سامسونگ، ۳۵ درصد کاهش ابعاد تراشه، ۳۰ درصد بهبود عملکرد و ۵۰ درصد بازدهی انرژی بهتری ارائه خواهد داد. طبق گزارش‌ها، فناوری GAA نسل سوم که در تراشه‌های ۲ نانومتری استفاده خواهد شد، ۵۰ درصد کاهش ابعاد و ۵۰ درصد عملکرد بهتر را برای تراشه‌ها به ارمغان می‌آورد.